RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2402
2740
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link