RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
37
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
3529
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link