RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1917
3990
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link