RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2298
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link