RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3205
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link