RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3540
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link