RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2472
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link