RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2330
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 99U5474-025.A00LF 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link