RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2330
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link