RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3227
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link