RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
4152
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link