RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
12.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2079
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905402-532.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link