RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
12.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2079
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link