RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3177
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.Y16F 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link