RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4064
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link