RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
83
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
83
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1752
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link