RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
83
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
83
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1752
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link