RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2464
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link