RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
1832
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link