RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2981
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link