RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Mushkin 996902 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 996902 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 996902 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
15
28
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
15
28
Prędkość odczytu, GB/s
20.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
14.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2566
2179
Mushkin 996902 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link