RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
3544
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link