RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
3169
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link