RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
17000
Wokół strony 1.03% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
52
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17500
17000
Other
Opis
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2319
2472
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link