RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2855
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link