RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3690
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link