RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
74
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
74
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1779
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link