RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3419
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link