RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3419
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link