RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
92
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
77
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1549
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link