RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
92
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3434
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link