RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
92
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3434
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link