RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2431
3514
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link