RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2852
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link