RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
96
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
96
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
4.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1062
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link