RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3795
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-445.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link