RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2291
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link