RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2978
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link