RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3302
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5603-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link