RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3914
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link