RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3683
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link