RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3660
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link