RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2605
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link