RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2527
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link