RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3310
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link