RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3310
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link