RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
54
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2333
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link