RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
54
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2356
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link