RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3890
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link