RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
42
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
17
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3550
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link