RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
64
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
64
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2205
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link